・Cバンド
・出力パワー：13〜17dBm Typ.
・ゲイン：23dB Typ.
・ゲインフラットネス：0.6dB Typ.
・NF：5.5dB Typ.
・消費電力：20W

・データレート
　：100, 155, 622Mb/s, 1.25, 2.5Gb/s
・760〜870nm, 1100〜1650nm
・入力パワーレベル
　PIN：-18〜-3dBm
　APD：-28〜-8dBm
・消光費：8.2dB Min.
・SMSR：30dB Min.
・消費電力：40W Max.

・C, Lバンド、C&Lバンド
・ラマンゲイン：10dB Typ.
・ゲインフラットネス：1.0〜1.5dB Max.
・励起光パワー：500〜700mW
・消費電力：35〜40W

・チャネル数：2〜40
・中心波長：ITU-T Grid
・パスバンド@0.5dB：≧0.25nm
・パスバンド：λ ITU ±0.11nm
・パスバンドフラットネス：≦0.5dB
・隣接チャネルアイソレーション：≧25dB
・非隣接チャネルアイソレーション
　：≧45dB
・ORL：≧45dB

・チャネル数：2〜20 ch
・中心波長：ITU-T Grid
・パスバンド@0.5dB：≧0.60nm
・パスバンド：λ ITU ±0.25nm
・パスバンドフラットネス：≦0.5dB
・隣接チャネルアイソレーション：≧25dB
・非隣接チャネルアイソレーション
　：≧45dB
・ORL：≧45dB

・チャネル数：2〜16 ch
・中心波長： ITU-T Grid
・パスバンド@0.5dB：≧14nm
・パスバンド：λ ITU ±6.5nm
・パスバンドフラットネス：≦0.5dB
・隣接チャネルアイソレーション：≧30dB
・非隣接チャネルアイソレーション
　：≧45dB
・ORL：≧45dB

・チャネル数：4〜8 ch
・中心波長：ITU-T Grid
・パスバンド@0.5dB：≧14nm
・パスバンド
　：λ ITU ±0.11nm, 0.25nm, 6.5nm
・パスバンドフラットネス：≦0.5dB
・隣接チャネルアイソレーション
　：≧25dB, ≧30dB
・非隣接チャネルアイソレーション
　：≧45dB
・ORL：≧45dB

・中心波長：ITU-T Grid
・パスバンド
　：λ ITU ±0.11nm, 0.25nm, 6.5nm
・パスバンドフラットネス：≦0.5dB
・隣接チャネルアイソレーション
　：≧25dB, ≧30dB
・非隣接チャネルアイソレーション
　：≧45dB
・ORL：≧45dB

・波長：スペックシート参照
・IL: パスch：≦1.0dB
・IL: 反射ch：≦0.6dB
・アイソレーション：パスch: ≧35dB
・アイソレーション：反射ch: ≧15dB
・ORL：≧45dB