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SiC UVホトディテクター
SiC UVホトディテクターは波長400nm以下のUV域にだけ感度がある光起電力型のホトディテクターです。バイアス電圧を必要としないので応答性能と暗電流は温度変化の影響を受けません。また、UV-Siディテクターと比較して、SiCはSi半導体よりも絶縁性が高いので高温下（70°C）での仕様に変化がない、UV光の透過深度がSiより2桁大きいので経年変化が少なく長期間の安定性を維持するなどの特徴があります。
感度：0.14A/W@280nm（@700K）
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