・CMOSサイズ：1/2”
（ローリングシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.7mmX5.3mm
・画素数：1288X1032（1.3M）
・画素サイズ：5.2μmX5.2μm
・波長域：
CMOS1201: 400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-UV: 150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
　52μm/4mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：68dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW（または10KHz以上のパルス
　レーザーの解析が可能）

・CMOSサイズ：1/1.8”
　（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.8mmX5.4mm
・画素数：1280X1024（1.3M）
・画素サイズ：5.3μmX5.3μm
・波長域：
CMOS1202:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1202-RT::320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1202-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1202-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1202-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
53μm/4.1mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション

・CMOSサイズ：1/1.8”
　（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：7.2mmX5.4mm
・画素数：1600X1200（2M）
・画素サイズ：4.5μmX4.5μm
・波長域：
CMOS1203:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1203-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1203-UV1:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1203-OM: 240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1203-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
　45μm/4mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：14Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション

・CMOSサイズ：1/2.5”
（ローリングシャッタータイプ）
・有効サイズ：5.7mmX4.3mm
・画素数：2560X1920（5M）
・画素サイズ：2.2μmX2.2μm
・波長域：
CMOS1204:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1204-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1204-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1204-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
　22μm/3.2mm（最小/最大）
・ビット深度：8bit
・ダイナミックレンジ：70dB
・フレームレート：5Hz（最大）
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション
・CW（または10KHz以上のパルス
　レーザーの解析が可能）

・CMOSサイズ：1/1.8”
　（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：6.8mmX5.4mm
・画素数：1280X1024（1.3M）
・画素サイズ：5.3μmX5.3μm
・波長域：
CMOS1201-nano:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1201--nano-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1201-nano-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1201-nano-OM:240nm-1150nm
(マイクロレンズ無)
CMOS1201-nano-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
　53μm/4.1mm（最小/最大）
・ビット深度：10bit
・ダイナミックレンジ：62dB
・フレームレート：40Hz（最大）
・インターフェース：USB3.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション

・CMOSサイズ：1”
　（グローバルシャッタータイプ）
・有効サイズ：11.3mmX11.3mm
・画素数：1280X1024（1.3M）
・画素サイズ：5.5μmX5.5μm
・波長域：
CMOS1202:400nm-1320nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS1202-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS1202-UV:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS1202-IR:1470nm-1605nm
(IRフォスファー)
・測定可能ビームサイズ：
　55μm/7.5mm（最小/最大）
・ビット深度：10bit
・ダイナミックレンジ：60dB
・フレームレート：20Hz（最大）
・インターフェース：USB3.0
・モード：CW/パルス
・IR/UVコンバーターオプション

・CMOSサイズ：1/2.5”
・有効サイズ：5.7mmX4.3mm
・画素数：2560X1920（5M）
・画素サイズ：2.2μmX2.2μm
・波長域：
CMOS-1201-pico:400nm-1150nm
(内蔵ND:吸収型)
CMOS-1201-pico-RT:320nm-1150nm
(内蔵ND:反射型)
CMOS-1201-pico-RT:150nm-1150nm
(UVフォスファー)
CMOS-1201-pico-OM: 240nm-1150nm(マイクロレンズ無)
・測定可能ビームサイズ：
　22μm/3.2mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・ダイナミックレンジ：70dB
・フレームレート：4.6Hz
・インターフェース：USB2.0
・モード：CW（または10KHz以上の
　パルスレーザーの解析が可能）

・CMOSサイズ：35mm
・有効サイズ：32.768mmX24.579mm
・画素数：5120X3840
・画素サイズ：6.4μmX6.4μm
・波長域： 400nm - 1100nm
＊350nm - 1100nm（要相談）
・測定可能ビームサイズ：
　64μm/17mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・SNR：41.8dB
・フレームレート：3.8Hz
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス

・CMOSサイズ：35mm
・有効サイズ：36.432mmX27.618mm
・画素数：7920X6004
・画素サイズ：4.6μmX4.6μm
・波長域：400nm - 1100nm
＊350nm - 1100nm（要相談）
・測定可能ビームサイズ：
　46μm/17mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・SNR：41.6dB
・フレームレート：1.4Hz
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス

・有効サイズ：6.4mmX5.1mm
・画素数：1280X1024
・画素サイズ：5μmX5μm
・波長域：0.4μm - 1.75μm
・測定可能レーザービームサイズ：
　50μm/3.9mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・ダイナミックレンジ：56.3dB
・フレームレート：35Hz
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス

・有効サイズ：9.6mmX7.7mm
・画素数：320X256
・画素サイズ：30μmX30μm
・波長域：0.9μm - 1.8μm
・測定可能レーザービームサイズ：
　300μm/5.7mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・ダイナミックレンジ：60dB
・フレームレート：100Hz(300Hz)
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス

・有効サイズ：9.6mmX7.7mm
・画素数：640X512
・画素サイズ：15μmX15μm
・波長域：0.9μm - 1.8μm
・測定可能レーザービームサイズ：
　150μm/5.7mm（最小/最大）
・ビット深度：12bit
・ダイナミックレンジ：59dB
・フレームレート：60Hz(100Hz)
・インターフェース：GigE
・モード：CW/パルス

CinSquareはRayCi Proビームプロファイラーソフトで制御し取り込みCWやパルスレーザーのビーム品質を全自動で測定するためのツールです
・ISO 11146-1/2準拠
・測定波長域：250-1800nm
・ビーム径(1/e2)：0.5-10mm
・最大入力パワー：20W(モジュラーアッテネーター使用)
標準構成
・モーターステージ/コントローラー
（USBケーブル／電源込み）
・集光レンズ2組
・フィルータホイール（最大ND6枚）
・アライメントミラー（2枚）
・マウンティングプレート
・RayCi-Proソフトウェア

CinSpotはRayCi Proビームプロファイラーソフトで制御し取り込みCWやパルスレーザーの集光点のビーム品質を全自動で測定するためのツールです
・ISO 11146-1/2準拠
・測定波長域：340nm-1150nm
・最小ビーム径(1/e2)：>16μm@4x/
>6μm@10z/>3μm@20x
・最大入力パワー：200W(モジュラーアッテネーター使用)
標準構成
・モーターステージ/コントローラー
（USBケーブル／電源込み）
・集光レンズ2組
・フィルータホイール（ND5枚）
・アライメントミラー（2枚）
・マウンティングプレート
・RayCi-Proソフトウェア

CiniSpotFBP-2KFはシングルモード1KW出力のレーザービームを直接入射可能な光学系をコンパクトに詰め込みました。RayCi Proビームプロファイラーソフトでリニアステージと連動させることによりCWやパルスレーザーの集光点のビーム品質を全自動で測定することが可能です。
・測定可能な集光点のサイズ：>64μm(SM)/>300μm(MM)
・波長：355nm/532nm/1064nm
(その他の波長はご相談)
・入射最大パワー：1KW

ニアフィールドパターン計測ツールです。1.0μm径まで計測可能です。
・測定可能な集光点のサイズ：>1μm
・波長域：320-1320nm/1550nm
・倍率：4x/10x/20x/40x
・入射最大パワー：100mW(4x/10x)
：10mW(20x/40x)

CinLineは産業用途で使用されるライン形状や四角い形状のビームを測定するツールです。スペックルフリーで計測可能です。
・有効サイズ：30x30mm/40x20mm/60x15mm
・波長域：320-1150nm/200-700nm
・分解能：17μm(カメラによる）
・入射最大パワー：500mW
*さらに大きい有効サイズも可能です。お問い合わせください。

・感度波長域：1470 - 1605nm
・コーティング：フォスファー
・減衰時間：<1ms
・変換波長：950 - 1075nm
・分解能：40lp/mm@受光面
・マウント：Cマウント
・最大入射強度：1W/cm²
・ダイナミックレンジ：42-44dB

・波長域：190 - 2000nm
・有効径：15mm
・プリズム材料：UVFS
・コーティング：無し
・最大入射強度(CW)：10KW/cm 2
・最大入射強度(パルス)：
2GW/cm 2 30J/cm 2 @15ns,1Hz
モデル：PA-1x-5
・最大入射パワー：<5W
モデル：PA-2x-100
・最大入射パワー：<100W
モデル：PA-2x-200
・最大入射パワー：<200W

・吸収型
OD：0.3 - 3.0
波長域：200 - 1200nm
基板材：Schoyyガラス
平面度：λ/4@633nm
スクラッチディグ：40 - 20
最大入射ビーム強度：5W/cm 2
最大入射パワー：<1W
・ARコート付吸収型
OD：0.3 - 5.0
波長域：
400 - 700nm/700 - 1100nm
基板材：Schoyyガラス
平面度：λ/4@633nm
スクラッチディグ：40 - 20
最大入射ビーム強度：5W/cm 2
最大入射パワー：<1W
・反射型
OD：0.3 - 3.0
波長域：200 - 1200nm
基板材：UVFS
平面度：1 λ@300nm
スクラッチディグ：40 - 20
最大入射ビーム強度：10W/cm 2
最大入射パワー：<1W

・倍率：2x / 3x / 4x
・有効径：22mm
・最大ビーム径(1/e²)：12mm
・校正位置：測定面 ・レンズ：アクロマート モデル：BR-UV/VIS-01
・波長域：350 - 700nm
・DT：0.4J/cm²@10ns,532nm
300W/cm²
モデル：BR-VIS/NIR-01
・波長域：650 - 1080nm
・DT：2J/cm²@10ns,810nm
500W/cm²
モデル：BR-NIR-01
・波長域：1040 - 1650nm
・DT：2J/cm²@10ns,1550nm
300W/cm²